I. Introduction
II. Diode de puissance
II.1. Présentation
II.2. Fonctionnement du composant parfait
II.3. Composant réel et ses imperfections
II.4. Critères de choix d’une diode
II.5. Protection du composant
III. Thyristor
III.1. Présentation
III.2. Fonctionnement du composant parfait
III.2.1. Caractéristique et fonctionnement
III.2.2. Blocage par commutation naturelle
III.2.3. Blocage par commutation forcée
III.3. Composant réel
III.3.1. Caractéristique et limites de fonctionnement
III.3.2. Amorçage
III.3.3. Blocage
III.4. Choix d’un thyristor
III.5. Protection du composant
III.6. Circuits de commande de gâchette
III.6.1. Modélisation et commande de la gâchette
III.6.2. Mode de commande et précautions
III.6.2.1. Isolement magnétique par transformateur d’impulsions (T.I.)
III.6.2.2. Isolement optique par opto-coupleur ou fibre optique
IV. Transistor bipolaire de puissance
IV.1. Présentation
IV.2. Fonctionnement du composant parfait
IV.2.1. Fonctionnement et états du transistor
IV.2.2. Composant réel et limites de fonctionnement
IV.3. Choix d’un transistor
IV.4. Protection du composant
IV.5. Commutation du transistor
IV.5.1. A la fermeture
IV.5.2. A l’ouverture
IV.6. Interfaces de commande
IV.7. Application : analyse partielle d’un montage industriel
V. Transistor MOS et MOSFET de puissance
V.1. Présentation
V.2. Fonctionnement et modèles du composant parfait
V.3. Limites de fonctionnement
V.4. Circuits de puissance à transistors MOS
VI. Transistor IGBT : le mariage du bipolaire et du MOS
VII. Réversibilité en courant des transistors
VII.1. Représentation par segments
VII.2. Recherche de la réversibilité en courant
VII.3. Cas du thyristor